دانلود رایگان


پاورپوینت کامل با عنوان روش های لایه نشانی (Thin Film Deposition) برای ساخت ادوات الکترونیکی در 16 اسلاید - دانلود رایگان



دانلود رایگان پاورپوینت کامل با عنوان روش های لایه نشانی (Thin Film Deposition) برای ساخت ادوات الکترونیکی در 16 اسلاید

دانلود رایگان پاورپوینت کامل با عنوان روش های لایه نشانی (Thin Film Deposition) برای ساخت ادوات الکترونیکی در 16 اسلاید







اساس روش های ساخت لایه های نازک بر دو مبنای فیزیکی و شیمیایی استوار است که روش های عمده لایه نشانی، برپایه این روش ها دسته بندی می شوند. در هر روش، کیفیت و شرایط لایه نازک متفاوت است که بسته به نوع کاربرد لایه نازک و شرایط مورد نظر، روش های مختلف مورد استفاده قرار می گیرد. از کاربرد های مهم لایه های نازک می توان به استفاده از این نانوساختارها در ساخت ترانزیستورهای لایه نازک،GMR وسلول های خورشیدی اشاره کرد. جهت آنالیز و بررسی کیفیت و ضخامت لایه های نازک، روشهای طیف شناسی الکترون و یون شامل روش طیف شناسی فوتوالکترون اشعه ایکس(XPS)، الکترون اوژه(AES) و طیف شناسی جرمی یون ثانویه(SIMS) مورد استفاده قرار می گیرد.
رسوبدهی فیزیکی بخار (PVD) یکی از روش های رسوب گذاری خلاء می باشد که می تواند برای تولید فیلم های نازک و پوشش ها استفاده شود. PVD با فرایندی که در آن ماده از یک فاز چگالنده به یک فاز بخار و سپس به فاز چگال نازک تبدیل می شود، مشخص می شود. شایع ترین فرایندهای PVD، اسپری و تبخیر هستند. PVD در ساخت وسایل مورد نیاز برای فیلم های نازک برای عملکرد مکانیکی، نوری، شیمیایی یا الکترونیکی استفاده می شود. از جمله دستگاه های نیمه هادی مانند فیلم های نازک پانل خورشیدی، فیلم PET آلومینیوم برای بسته بندی مواد غذایی و بالن و ابزار برش پوشش داده شده برای فلزکاری علاوه بر ابزارهای PVD برای ساخت، ابزارهای کوچکتر مخصوص (عمدتاً برای اهداف علمی) توسعه یافته اند.
پوشش های صنعتی معمولی که توسط PVD اعمال می شود، نیترید تیتانیوم، نیترید زیرکونیوم، نیترید کروم، نیترید آلومینیوم تیتانیوم است.
مواد منبع نیز به طور اجتناب ناپذیری روی بسیاری از سطوح دیگر داخل محفظه خلاء، از جمله اتصالاتی که برای نگهداری قطعات استفاده می شود، رسوب می یابند.
شکل ۲: شماتیک فرایند رسوب دهی فیزیکی بخاردر این فرایند به علت برخورد یون های شناور در پلاسما به سطح مادهٔ لایه نشانی شونده، اتم های موجود در سطح آن کنده شده و بر روی سطح مادهٔ اصلی می نشیند و لایه نارکی بر روی سطح ایجاد می کند.
صفحه برش فرز رسوب دهی شده توسط TiN Titankote™ C (TiN) Coatedدمای استفاده شده در این فرایند بین ۱۵۰ تا ۵۰۰ درجه سانتی گراد با فشار کاری ۱۰–۲ به ۱۰–۴ میلی بار می باشد.
انباشت به روش تبخیر شیمیایی یا رسوب شیمیایی فاز بخار (به انگلیسی: Chemical vapor deposition به اختصار CVD) یکی از روش های شیمیایی لایه نشانی است که در تولید لایه های بسیار خالص میکروبلورین در فناوری نیم رساناها به کار می رود.
غالباً انباشت روی زیر لایه ای از ماده مشابه (مانند سیلیسیم روی سیلیسم)انجام می شود. این انباشت ممکن است از طریق چند نوع واکنش شیمیایی انجام شود: گرماکافت که در آن از دمای زیاد برای تجزیه ماده استفاده می شود. نورکافت که در آن از نور فرابنفش یا فروسرخ برای تجزیه ترکیب های گازی استفاده می شود.
روش دیگر ممکن است از طریق واکنشی از نوع انجام شود که در آن AB ترکیب گازی و A ماده مورد نظر برای انباشت است. ازخصوصیات این واکنش اینست که AB در دمای زیاد ترکیب پایداری است اما در دماهای کمتر مولفه A جدا می شود.

فهرست مطالب:
مقدمه
روش شیمیایی CVD
انواع روش های CVD
روش CVC
لایه نشانی به روش کندوپاش یا اسپاترینگ
رسوب دهی لیزری پالسی
لایه نشانی پرتو مولکولی
لایه نشانی به روش فیزیکی PVD
انواع روش های PVD
تبخیر حرارتی مبتنی بر مقاومت الکتریکی
تبخیر باریکه الکترونی
واکنش های شیمیایی در سنتزهای نانو
واکنش های رسوبی
فرآیند آبکافت
لایه نشانی در فاز مایع
سل ژل (Sol Gel)
جدول مقایسه روش های گفته شده


لایه نشانی


فیزیکی


شیمیایی


مولکولی


بخار


تبخیر


سل ژل


CVD


PVD


مقاله


پاورپوینت


فایل فلش


کارآموزی


گزارش تخصصی


اقدام پژوهی


درس پژوهی


جزوه


خلاصه


پاورپوینت درس هجدهم مطالعات اجتماعی پایه هفتم: قدیمی ترین سکونتگاه های ایران